热点聚焦！台积电回应晶圆涨价传闻：3nm芯片竞争激烈，价格或受影响

台积电回应晶圆涨价传闻：3nm芯片竞争激烈，价格或受影响

台北 - 2024年6月14日，针对近期传出的台积电晶圆涨价消息，台积电今日做出回应，表示公司定价策略始终以策略导向，而非机会导向，公司会持续与客户紧密合作以提供价值。

台积电表示， 由于晶圆制造工艺复杂且成本高昂，公司需要根据市场需求和成本变化进行定价调整。公司会与客户进行充分沟通，确保双方利益最大化。

业界分析人士指出， 台积电此次回应可能与近期3nm芯片竞争加剧有关。苹果、高通、英伟达等科技巨头均已宣布将在2024年下半年推出3nm芯片产品，对台积电3nm晶圆代工业务带来了巨大压力。

为了吸引客户，台积电可能会适当降低3nm晶圆价格。 不过，由于3nm芯片制造工艺更加复杂，成本更高，因此总体价格仍将维持在较高水平。

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三星3D NAND堆叠技术领跑行业，长存美光紧追其后

[美国，加州] - 据市场研究机构TechInsights近日发布的报告，三星电子在3D NAND闪存堆叠技术方面处于领先地位，其平均每单元比特堆叠层数达到了176层，而紧随其后的长存美光则为164层。

报告指出，三星在3D NAND堆叠技术方面的领先优势主要体现在其先进的晶圆代工工艺和设计架构上。三星采用了一系列创新的技术，例如沟槽填充技术和自对准蚀刻技术，使得其能够在更薄的晶圆上制造更多的存储层。此外，三星还开发了一种新的3D NAND架构，该架构可以提高存储单元的密度和性能。

长存美光也在3D NAND堆叠技术方面投入了大量研发资金，并取得了显著进展。该公司目前正在开发176层3D NAND闪存，预计将于2024年底投产。

3D NAND闪存是目前最先进的闪存技术之一，具有更高的存储密度、更快的速度和更低的功耗。随着智能手机、数据中心和服务器等应用对存储需求的不断增长，3D NAND闪存市场预计将快速增长。

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